VNB35N07TR-E د بریښنا سویچ ICs - د بریښنا توزیع OMNIFETII په بشپړ ډول اتومات محافظت Pwr MOSFET
♠ د محصول توضیحات
| د محصول خاصیت | د خاصیت ارزښت |
| جوړونکی: | STM مایکرو الیکترونیک |
| د محصول کټګورۍ: | د بریښنا سویچ ICs - د بریښنا توزیع |
| ډول: | ټیټ اړخ |
| د حاصلاتو شمیر: | 1 محصول |
| اوسنی حد: | ۳۵ الف |
| په مقاومت کې - اعظمي: | 28 mOhms |
| په وخت - اعظمي: | 200 ns |
| د بند وخت - اعظمي: | 1 موږ |
| عملیاتي عرضه ولتاژ: | ۲۸ وی |
| لږترلږه عملیاتي تودوخه: | - 40 سی |
| اعظمي عملیاتي حرارت: | + 150 سی |
| د نصب کولو سټایل: | SMD/SMT |
| بسته / قضیه: | D2PAK-3 |
| لړۍ: | VNB35N07-E |
| وړتوب: | AEC-Q100 |
| بسته بندي: | ریل |
| بسته بندي: | ټیپ پرې کړئ |
| بسته بندي: | MouseReel |
| نښه: | STM مایکرو الیکترونیک |
| د رطوبت حساسیت: | هو |
| Pd - د بریښنا ضایع کول: | 125000 میګاواټه |
| د محصول ډول: | د بریښنا سویچ ICs - د بریښنا توزیع |
| د فابریکې بسته اندازه: | ۱۰۰۰ |
| فرعي کټګوري: | ICs بدل کړئ |
| د واحد وزن: | 0.079014 اوز |
♠ OMNIFET: په بشپړ ډول اتوماتیک بریښنا MOSFET
VNP35N07-E، VNB35N07-E او VNV35N07-E د STMicroelectronics VIPower® ټیکنالوژۍ په کارولو سره جوړ شوي واحد وسیلې دي چې په DC کې د 50 KHz غوښتنلیکونو کې د معیاري بریښنا MOSFETs ځای په ځای کولو لپاره دي.
جوړ شوی حرارتي بندول ، د اوسني لاین محدودیت او د ډیر ولټاژ کلیمپ په سخت چاپیریال کې چپ ساتي.
د غلط فیډبیک په ان پټ پن کې د ولټاژ نظارت کولو سره کشف کیدی شي.
• د موټرو وړ وړ
• خطي اوسنی محدودیت
• حرارتي بندول
• د لنډ سرکټ ساتنه
• مدغم کلیمپ
• ټيټ کرنټ د انپټ پن څخه اخستل شوی
• د انپټ پن له لارې د تشخیص فیډبیک
• د ESD محافظت
• د بریښنا MOSFET دروازې ته مستقیم لاسرسی (انلاګ موټر چلول)
• د معیاري بریښنا MOSFET سره مطابقت لري
• معیاري TO-220 بسته
• د 2002/95/EC اروپایی لارښوونو سره مطابقت
