SIC621CD-T1-GE3 ګیټ ډرایور 60A VRPwr 2 MHz PS4 حالت 5V PWM
♠ د محصول توضیحات
| د محصول خاصیت | د خاصیت ارزښت |
| جوړونکی: | ویش |
| د محصول کټګورۍ: | د دروازې چلوونکي |
| RoHS: | جزیات |
| محصول: | د MOSFET دروازې چلوونکي |
| ډول: | لوړ اړخ، ټیټ اړخ |
| د نصب کولو سټایل: | SMD/SMT |
| بسته / قضیه: | MLP55-31 |
| د موټر چلوونکو شمېر: | 1 چلوونکی |
| د حاصلاتو شمیر: | 1 محصول |
| اوسنی تولید: | 60 الف |
| د عرضې ولتاژ - دقیقه: | 4.5 وی |
| د عرضې ولتاژ - اعظمي: | ۱۸ وی |
| ترتیب: | غیر متوجه کول |
| د پاڅیدو وخت: | 35 ns |
| د مني وخت: | 10 ns |
| لږترلږه عملیاتي تودوخه: | - 55 سي |
| اعظمي عملیاتي حرارت: | + 150 سی |
| لړۍ: | SIC621 |
| بسته بندي: | ریل |
| بسته بندي: | ټیپ پرې کړئ |
| بسته بندي: | MouseReel |
| نښه: | ویشی سیمی کنډکټرونه |
| Pd - د بریښنا ضایع کول: | 1.6 W |
| د محصول ډول: | د دروازې چلوونکي |
| Rds On - د وچولو سرچینې مقاومت: | 110 mOhms |
| د فابریکې بسته اندازه: | 3000 |
| فرعي کټګوري: | PMIC - د بریښنا مدیریت ICs |
| ټکنالوژي: | Si |
| تجارتی نوم: | DrMOS VRPpower |
| د واحد وزن: | 0.000423 اوز |
♠ 60 A VRPower® یوځای شوي بریښنا مرحله
SiC621 د بریښنا مرحلې حلونه مدغم شوي د همغږي بکس غوښتنلیکونو لپاره غوره شوي ترڅو لوړ اوسني ، لوړ موثریت ، او د لوړ بریښنا کثافت فعالیت وړاندیز وکړي.د Vishay په ملکیت 5 mm x 5 mm MLP کڅوړه کې بسته شوي، SiC621 د ولتاژ تنظیم کونکي ډیزاین ته وړتیا ورکوي ترڅو په هر پړاو کې تر 60 A دوامدار جریان وړاندې کړي.
د داخلي ځواک MOSFETs د Vishay د عصري Gen IV TrenchFET ټیکنالوژي کاروي چې د صنعت معیارونو فعالیت وړاندې کوي ترڅو د پام وړ بدلون او لیږد زیانونه کم کړي.
SiC621 یو پرمختللی MOSFET ګیټ ډرایور IC شاملوي چې د لوړ اوسني موټر چلولو وړتیا، د تطبیق وړ مړ شوي وخت کنټرول، یو مدغم بوټ سټریپ Schottky diode، او د رڼا بار کولو موثریت ښه کولو لپاره صفر اوسنی کشف لري.ډرایور د PWM کنټرولرونو پراخه لړۍ سره هم مطابقت لري، د درې اړخیز PWM، او 5 V PWM منطق ملاتړ کوي.
د کارونکي د انتخاب وړ ډایډ ایمولیشن حالت (ZCD_EN#) فنکشن د رڼا بار فعالیت ښه کولو لپاره شامل دی. وسیله د PS4 حالت هم ملاتړ کوي ترڅو د بریښنا مصرف کم کړي کله چې سیسټم په سټینډ بای حالت کې کار کوي.
• په تودوخې سره وده شوې PowerPAK® MLP55-31L کڅوړه
• Vishay's Gen IV MOSFET ټیکنالوژي او یو ټیټ اړخ MOSFET د یوځای شوي Schottky diode سره
• تر 60 A دوامداره جریان وړاندې کوي
• د لوړ موثریت فعالیت
• د لوړې فریکونسۍ عملیات تر 2 MHz پورې
• د بریښنا MOSFETs د 12 V ان پټ مرحلې لپاره غوره شوي
• 5 V PWM منطق د درې حالتونو او هولډ آف سره
• د IMVP8 لپاره د PS4 حالت د رڼا بار اړتیا ملاتړ کوي د ټیټ بند رسولو اوسني سره (5 V، 5 μA)
• د VCIN لپاره د ولتاژ لاندې بندول
• د کمپیوټر، ګرافیک کارت او حافظې لپاره څو پړاو VRDs
• د Intel IMVP-8 VRPpower تحویلي – VCORE, VGRAPHICS, VSYSTEM AGENT Skylake, Kabylake پلیټ فارمونه – VCCGI د اپولو لیک پلیټ فارمونو لپاره
• تر 18 V پورې د ریل ان پټ DC/DC VR ماډلونه
