IRFR6215TRPBF MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhms 44nC
♠ د محصول توضیحات
| د محصول خاصیت | د خاصیت ارزښت |
| جوړونکی: | انفینون |
| د محصول کټګورۍ: | MOSFET |
| ټکنالوژي: | Si |
| د نصب کولو سټایل: | SMD/SMT |
| بسته / قضیه: | TO-252-3 |
| د ټرانزیسټر قطبیت: | پی چینل |
| د چینلونو شمیر: | 1 چینل |
| Vds - د وچولو سرچینې ماتول ولتاژ: | 150 وی |
| ID - د اوبو دوامداره جریان: | 13 الف |
| Rds On - د وچولو سرچینې مقاومت: | 580 mOhms |
| Vgs - د دروازې سرچینې ولټاژ: | - 20 V، + 20 V |
| Vgs th - د دروازې سرچینې حد ولټاژ: | ۴ وی |
| Qg - د دروازې چارج: | 66 nC |
| لږترلږه عملیاتي تودوخه: | - 55 سي |
| اعظمي عملیاتي حرارت: | + 175 C |
| Pd - د بریښنا ضایع کول: | 110 W |
| د چینل حالت: | لوړول |
| بسته بندي: | ریل |
| بسته بندي: | ټیپ پرې کړئ |
| بسته بندي: | MouseReel |
| نښه: | انفینون ټیکنالوژي |
| ترتیب: | واحد |
| د مني وخت: | 37 ns |
| فارورډ ټرانس کنډکټانس - دقیقه: | 3.6 س |
| لوړوالی: | 2.3 mm |
| اوږدوالی: | 6.5 mm |
| د محصول ډول: | MOSFET |
| د پاڅیدو وخت: | 36 ns |
| د فابریکې بسته اندازه: | 2000 |
| فرعي کټګوري: | MOSFETs |
| د ټرانزیسټر ډول: | 1 P-چینل |
| ډول: | لومړني |
| د عادي بندیدو ځنډ وخت: | 53 ns |
| د عادي ګرځیدو ځنډ وخت: | 14 ns |
| عرض: | 6.22 ملي متره |
| برخه # عرفونه: | IRFR6215TRPBF SP001571562 |
| د واحد وزن: | 0.011640 اوز |
♠ IRFR6215PbF IRFU6215PbF HEXFET® پاور MOSFET
د نړیوال ریکټفایر څخه د پنځم نسل HEXFETs پرمختللي کارويد پروسس کولو تخنیکونه ترڅو د مقاومت ترټولو ټیټ احتمال ترلاسه کړيسیلیکون سیمه.دا ګټه، د ګړندي بدلولو سرعت سره یوځای کیږياو رګډ شوي وسایل ډیزاین چې د HEXFET پاور MOSFETs ديلپاره ښه پیژندل شوی، ډیزاینر ته خورا اغیزمن وسیله چمتو کويپه مختلفو غوښتنلیکونو کې د کارولو لپاره.
D-PAK د بخار پړاو په کارولو سره د سطحې نصبولو لپاره ډیزاین شوی،انفراریډ، یا څپې سولډرینګ تخنیکونه.مستقیم لیډ نسخه(IRFU لړۍ) د سوري نصبولو غوښتنلیکونو لپاره دی.ځواکد تخریب کچه تر 1.5 واټو پورې په عادي سطح کې ممکنه دهنصب غوښتنلیکونه.
P-چینل
175 ° C عملیاتي تودوخه
د سطحې غره (IRFR6215)
مستقیم لیډ (IRFU6215)
پرمختللې پروسې ټیکنالوژي
چټک بدلول
په بشپړه توګه د واورې تودوخې درجه
له لیډ څخه پاک
