STH3N150-2 MOSFET N-CH 1500V 6Ohm 2.5A پاور میش
♠ د محصول توضیحات
| د محصول ځانګړتیا | د ځانګړتیا ارزښت |
| جوړونکی: | STMicroelectronics - د STM مایکرو الیکترونیک |
| د محصول کټګوري: | د MOSFET معرفي کول |
| د سړکونو سړکونه: | جزیات |
| ټیکنالوژي: | Si |
| د نصبولو سټایل: | د SMD/SMT معرفي کول |
| بسته/قضیه: | د H2PAK-2 معرفي کول |
| د ټرانزیسټر قطبیت: | د این چینل |
| د چینلونو شمېر: | ۱ چینل |
| Vds - د اوبو د سرچینې ماتول ولتاژ: | ۱.۵ کیلو واټه |
| ID - دوامداره د اوبو ایستلو جریان: | ۲.۵ الف |
| سړکونه آن - د اوبو د سرچینې مقاومت: | ۹ اوهمونه |
| Vgs - د دروازې سرچینې ولټاژ: | - ۲۰ وولټ، + ۲۰ وولټ |
| Vgs th - د دروازې سرچینې حد ولټاژ: | ۳ وي |
| Qg - د دروازې چارج: | ۲۹.۳ سانتي ګراد |
| لږ تر لږه عملیاتي تودوخه: | - ۵۵ سانتي ګراد |
| اعظمي عملیاتي تودوخه: | + ۱۵۰ سانتي ګراد |
| پی ډي - د بریښنا ضایع کول: | ۱۴۰ واټه |
| د چینل حالت: | لوړول |
| سوداګریز نوم: | پاور میش |
| بسته بندي: | ریل |
| بسته بندي: | ټیپ پرې کړئ |
| بسته بندي: | د موږک ریل |
| برانډ: | STMicroelectronics - د STM مایکرو الیکترونیک |
| ترتیب: | مجرد |
| د مني وخت: | ۶۱ نانو ثانیې |
| مخ په وړاندې لېږد - لږ تر لږه: | ۲.۶ ثانيې |
| د محصول ډول: | د MOSFET معرفي کول |
| د پورته کېدو وخت: | ۴۷ نانو ثانیې |
| لړۍ: | د STH3N150-2 معرفي کول |
| د فابریکې د بسته بندۍ مقدار: | ۱۰۰۰ |
| فرعي کټګورۍ: | MOSFETs |
| د ټرانزیسټر ډول: | ۱ د این-چینل بریښنا MOSFET |
| د بندولو د ځنډ عادي وخت: | ۴۵ نانو ثانیې |
| د چالانولو د ځنډ عادي وخت: | ۲۴ نانو ثانیې |
| د واحد وزن: | ۴ ګرامه |
♠ د N-چینل 1500 V، 2.5 A، 6 Ω ډول، PowerMESH پاور MOSFETs په TO-3PF، H2PAK-2، TO-220 او TO247 پیکجونو کې
دا پاور MOSFETs د STMicroelectronics د یوځای شوي سټریپ-لی آوټ پر بنسټ د MESH OVERLAY پروسې په کارولو سره ډیزاین شوي. پایله یې یو محصول دی چې د نورو تولید کونکو څخه د پرتله کولو وړ معیاري برخو سره سمون خوري یا ښه کوي.
• ۱۰۰٪ د واورې ښوېدنې ازموینه شوې
• داخلي ظرفیتونه او Qg کم شوي
• د لوړ سرعت بدلون
• په بشپړه توګه جلا شوی TO-3PF پلاستيکي کڅوړه، د کریپیج واټن لاره 5.4 ملي متره ده (معمولا)
• د غوښتنلیکونو بدلول
